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（2）探索二维半导体的磁性掺杂，千伏通过Fe掺杂SnS2获得了具有铁磁特性的二维半导体（Nat.Commun.2017,8,1958.），千伏成功将磁性Co元素掺入MoS2形成高质量二维合金（ACSNano2015,9(2),1257-1262.）。研究发现其性能与材料厚度有直接关系，高抗当样品厚度约为5.7nm时所得载流子迁移率最高，高抗可达59cm2V-1s-1，当样品厚度约为4.6nm时所得开关电流比最高，可达105。

载流子迁移率的温度依赖性研究表明载流子迁移率的峰值出现于230K处，整体低于230K时，整体载流子主要受限于杂质散射的影响，而晶格散射在高温下占主导地位。已经发表SCI论文90多篇，移位圆满以第一或通讯作者发表论文50多篇，其中包括Nat.Commun.;Adv.Mater.;J.Am.Chem.Soc.;ACSNano;Adv.Funct.Mater.等国际知名期刊。而单层B-As是一种间接带隙半导体，成功其带隙值约为1-1.5eV。

世界首次设备该研究结果表明少层b-As基FETs是一种有望应用于多功能微纳电子器件的候选材料。此外，千伏b-As拥有相对良好的环境稳定性，这对其实际应用至关重要。

2015年入选中国科学院百人计划，高抗2016年获得优秀青年科学基金。

黑砷（B-As），整体作为B-P的表亲，其与B-P具有相似的结构构型，预计也应具有优异的物理和化学性能。小编根据常见的材料表征分析分为四个大类，移位圆满材料结构组分表征，材料形貌表征，材料物理化学表征和理论计算分析。

吸收光谱可以利用吸收峰的特性进行定性的分析和简单的物质结构分析，成功此外还可以用于物质吸收的定量分析。Figure4(a–f)inoperandoUV-visspectradetectedduringthefirstdischargeofaLi–Sbattery(a)thebatteryunitwithasealedglasswindowforinoperandoUV-visset-up.(b)Photographsofsixdifferentcatholytesolutions;(c)thecollecteddischargevoltageswereusedfortheinsituUV-vismode;(d)thecorrespondingUV-visspectrafirst-orderderivativecurvesofdifferentstoichiometriccompounds;thecorrespondingUV-visspectrafirst-orderderivativecurvesof(e)rGO/Sand(f)GSH/SelectrodesatC/3,respectively.理论计算分析随着能源材料的大力发展，世界首次设备计算材料科学如密度泛函理论计算，世界首次设备分子动力学模拟等领域的计算运用也得到了大幅度的提升，如今已经成为原子尺度上材料计算模拟的重要基础和核心技术，为新材料的研发提供扎实的理论分析基础。

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